Wir haben eine isolierte Leiterplatte entwickelt, die in einem IGBT (Insulated Gate Bipolar Transister) verwendet wird, der als Hochfrequenzumwandlungsgerät in einem Hybridauto, einem Brennstoffzellenauto, einem Elektrofahrzeug, einem Shinkansen oder einem CS-DBC eingesetzt wird.) In den letzten Jahren, als SiC Si als Halbleiter ersetzte, wurden SiN als Isolierkeramik und 1 mm dickes Kupfer für Schaltkreise verwendet. Wir bieten Keramik-Kupfer-Verbindungen durch Diffusionsverklebung an.
Merkmale unserer Produkte
- Verbesserung der Wärmeleitfähigkeit durch Wegfall der Haftschicht
- Starke Adhäsion
- Neue Bauweise durch Eigenentwicklung (S-DBC)
- entsprechen SiN – AlN – Al2O3
S-DBC-Methode (Entwickelt von FJ Composite)
S-DBC：Sputtering Diffusionsbonden Kupfer
Konventionelle Methode
S-DBC-Verfahren
Diffusionsbindungen
Bewertung der Verbindungsfestigkeit des Thermodiffusionsklebens
(Ergebnis der Nutzerbewertung)
| AMB (other company’s product) | 98 N/4mm² |
| S-DBC (FJ Composite) | 106 N/4mm² (destruction of ceramic base material) |
Vor der Prüfung (Cu/SiN/Cu-Probe)
Nach der Prüfung (Haftfestigkeit>Keramikfestigkeit)
Wärmezyklusprüfung
① Hochtemperaturbetrieb Zuverlässigkeitsprüfung (-45 bis 150 ° C / Zyklus, Verweilzeit 20 min, bei jeder Temperatur)
-45 ~ 150 ° / 2000 mal Test passed (User evaluation)
② Beobachtungsergebnis des Klebezustands der DBC-Leiterplatte
-40 bis 250 ° / 3000 mal Test passed (AIST evaluation result)
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