AMB Substrate

AMB-Substrate sind in der Regel Kupfer-Keramik-Verbundwerkstoffe, die im Gegensatz zu DCB-Substraten mit einem Aktivlot (TiCu/TiAg) zwischen Kupfer und Keramik hergestellt werden.

Die technologischen Vorteile gegenüber dem Standard-DCB-Substrat sind sehr groß.

Die Temperaturwechselbarkeit (TC) beträgt je nach Material und Prüfbedingungen in der Regel -55°C/+150°C, mit > 8.000 Zyklen, ohne dass sich das Kupfer von der Keramik lösen kann.

Eine zusätzliche und sehr wichtige Eigenschaft ist die Teilentladungsfähigkeit, insbesondere für Anwendungen oberhalb von 1,7kV, da beim AMB-Verfahren, anders als beim DCB-Verfahren, keine Hohlräume zwischen Kupfer und Keramik vorhanden sind.

Für AMB-Substrate werden hauptsächlich keramische Substrate aus AlN (bis zu 250 W/mK) und Si3N4 (85 – 130 W/mK) als Isolatoren verwendet.

Durch das spezielle Herstellungsverfahren sind Kupferstärken (Standard 0,3 – 0,8 mm) sogar bis zu 2 mm auf der Layoutseite und der Unterseite möglich.

Wir bieten eine breite Palette verschiedener keramischer Substrate als AMB – Verbundwerkstoff an:

• AlN – Aluminiumnitridkeramik mit einer sehr hohen Wärmeleitfähigkeit von bis zu 250 W/mK.
• Si3N4 – Siliziumnitridkeramik mit hoher mechanischer Festigkeit bis zu 700 Mpa
• Lieferung als Einzelteile oder in Masterkarten (multiple-up array)
• Kundenspezifische Dicken und Oberflächenbeschichtungen auf Anfrage erhältlich

Material Mix