Hervorragende Haftung bei Dünn- und Dickschichtmaterialien
Geringere Varianz bei Kontur, Plattendicke, Spaltabstand usw.
Minimale Verformung, Biegung und Wellung
Die physikalischen und chemischen Eigenschaften sind auch in einer heißen Umgebung stabil. Ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit
Hohe Wärmeleitfähigkeit und Wärmeausdehnungskoeffizient ähnlich dem von Silizium
Ausgezeichnete Beständigkeit gegen Öl und Chemikalien
Hervorragende Isolationseigenschaften, hohe dielektrische Durchbruchspannung, hoher Oberflächenwiderstand/Volumenwiderstand und kleine Dielektrizitätskonstante
Stabile Bruchfestigkeit und geringere Schwankungen in Form und Abmessungen.
Das hochreflektierende Substrat, besonders geeignet für optische Anwendungen wie LED, ist ebenfalls erhältlich.
ZrO2-Substrate
Gut kontrollierte Oberflächenrauheit mit homogenem und feinem Gefüge
50% höhere Biegefestigkeit als Aluminiumoxid- oder AlN-Substrate
20% höhere Wärmeleitfähigkeit als Aluminiumoxid-Substrate
Das optische Reflexionsvermögen ist höher als bei Aluminiumoxid-Substraten. Das Substrat mit höherem Reflexionsvermögen ist ebenfalls erhältlich
Höhere elektrische Isolierung und geringere Dielektrizitätskonstante als Aluminiumoxid-Substrate
AIN-Substrate
Bis zu 10-mal höhere Wärmeleitfähigkeit als Aluminiumoxid (170-250 W/mK)
Wärmeausdehnungskoeffizient ähnlich dem von Silizium (Si)
Geringere Dielektrizitätskonstante und höhere elektrische Isolierung
Stärkere mechanische Festigkeit bis zu 600 MPa
Hervorragende Korrosionsbeständigkeit
Siliziumnitrid-Substrate (Si3N4)
Die Biegefestigkeit ist etwa doppelt so hoch wie die von Aluminiumnitrid (AlN) und Aluminiumoxid
Dreimal höhere Wärmeleitfähigkeit als Aluminiumoxid- und ZTA-Substrate
Hohe dielektrische Durchbruchspannung, hoher Oberflächenwiderstand, hoher Durchgangswiderstand, hervorragende Isolationseigenschaften
Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) ähnlich wie bei Silizium
Berryllium-Oxid-Substrate (BeO)
Berylliumoxid-Substrat ist das ideale Material für viele Hochleistungs-Halbleiterteile für Anwendungen wie Funkgeräte
Berylliumoxid-Keramik kann elektronische Geräte elektrisch isolieren und gleichzeitig beträchtliche Wärmemengen von ihnen an einen Kühlkörper ableiten
Bei einigen Leistungshalbleitern wurde Berylliumoxid-Keramik zwischen dem Siliziumchip und dem Metallsockel des Gehäuses verwendet, um einen geringeren Wärmewiderstand als bei einer ähnlichen Konstruktion aus Aluminiumoxid zu erreichen.
Berylliumoxidkeramik wird auch als Strukturkeramik für Hochleistungs-Mikrowellengeräte, Vakuumröhren, Magnetrons und Gaslaser verwendet.
