Al2O3-Substrate
- Gute Glätte / Ebenheit mit weniger Porosität
- Hervorragende Haftung bei Dünn- und Dickschichtmaterialien
- Geringere Varianz bei Kontur, Plattendicke, Spaltabstand usw.
- Minimale Verformung, Biegung und Wellung
- Die physikalischen und chemischen Eigenschaften sind auch in einer heißen Umgebung stabil. Ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit
- Hohe Wärmeleitfähigkeit und Wärmeausdehnungskoeffizient ähnlich dem von Silizium
- Ausgezeichnete Beständigkeit gegen Öl und Chemikalien
- Hervorragende Isolationseigenschaften, hohe dielektrische Durchbruchspannung, hoher Oberflächenwiderstand/Volumenwiderstand und kleine Dielektrizitätskonstante
- Stabile Bruchfestigkeit und geringere Schwankungen in Form und Abmessungen.
- Das hochreflektierende Substrat, besonders geeignet für optische Anwendungen wie LED, ist ebenfalls erhältlich.
ZrO2-Substrate
- Gut kontrollierte Oberflächenrauheit mit homogenem und feinem Gefüge
- 50% höhere Biegefestigkeit als Aluminiumoxid- oder AlN-Substrate
- 20% höhere Wärmeleitfähigkeit als Aluminiumoxid-Substrate
- Das optische Reflexionsvermögen ist höher als bei Aluminiumoxid-Substraten. Das Substrat mit höherem Reflexionsvermögen ist ebenfalls erhältlich
- Höhere elektrische Isolierung und geringere Dielektrizitätskonstante als Aluminiumoxid-Substrate
AIN-Substrate
- Bis zu 10-mal höhere Wärmeleitfähigkeit als Aluminiumoxid (170-250 W/mK)
- Wärmeausdehnungskoeffizient ähnlich dem von Silizium (Si)
- Geringere Dielektrizitätskonstante und höhere elektrische Isolierung
- Stärkere mechanische Festigkeit bis zu 600 MPa
- Hervorragende Korrosionsbeständigkeit
Siliziumnitrid-Substrate (Si3N4)
- Die Biegefestigkeit ist etwa doppelt so hoch wie die von Aluminiumnitrid (AlN) und Aluminiumoxid
- Dreimal höhere Wärmeleitfähigkeit als Aluminiumoxid- und ZTA-Substrate
- Hohe dielektrische Durchbruchspannung, hoher Oberflächenwiderstand, hoher Durchgangswiderstand, hervorragende Isolationseigenschaften
- Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) ähnlich wie bei Silizium
Berryllium-Oxid-Substrate (BeO)
- Berylliumoxid-Substrat ist das ideale Material für viele Hochleistungs-Halbleiterteile für Anwendungen wie Funkgeräte
- Berylliumoxid-Keramik kann elektronische Geräte elektrisch isolieren und gleichzeitig beträchtliche Wärmemengen von ihnen an einen Kühlkörper ableiten
- Bei einigen Leistungshalbleitern wurde Berylliumoxid-Keramik zwischen dem Siliziumchip und dem Metallsockel des Gehäuses verwendet, um einen geringeren Wärmewiderstand als bei einer ähnlichen Konstruktion aus Aluminiumoxid zu erreichen.
- Berylliumoxidkeramik wird auch als Strukturkeramik für Hochleistungs-Mikrowellengeräte, Vakuumröhren, Magnetrons und Gaslaser verwendet.
