Ceramic Substrate

Al2O3-Substrate

  • Gute Glätte / Ebenheit mit weniger Porosität
  • Hervorragende Haftung bei Dünn- und Dickschichtmaterialien
  • Geringere Varianz bei Kontur, Plattendicke, Spaltabstand usw.
  • Minimale Verformung, Biegung und Wellung
  • Die physikalischen und chemischen Eigenschaften sind auch in einer heißen Umgebung stabil. Ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit
  • Hohe Wärmeleitfähigkeit und Wärmeausdehnungskoeffizient ähnlich dem von Silizium
  • Ausgezeichnete Beständigkeit gegen Öl und Chemikalien
  • Hervorragende Isolationseigenschaften, hohe dielektrische Durchbruchspannung, hoher Oberflächenwiderstand/Volumenwiderstand und kleine Dielektrizitätskonstante
  • Stabile Bruchfestigkeit und geringere Schwankungen in Form und Abmessungen.
  • Das hochreflektierende Substrat, besonders geeignet für optische Anwendungen wie LED, ist ebenfalls erhältlich.

ZrO2-Substrate

  • Gut kontrollierte Oberflächenrauheit mit homogenem und feinem Gefüge
  • 50% höhere Biegefestigkeit als Aluminiumoxid- oder AlN-Substrate
  • 20% höhere Wärmeleitfähigkeit als Aluminiumoxid-Substrate
  • Das optische Reflexionsvermögen ist höher als bei Aluminiumoxid-Substraten. Das Substrat mit höherem Reflexionsvermögen ist ebenfalls erhältlich
  • Höhere elektrische Isolierung und geringere Dielektrizitätskonstante als Aluminiumoxid-Substrate

AIN-Substrate

  • Bis zu 10-mal höhere Wärmeleitfähigkeit als Aluminiumoxid (170-250 W/mK)
  • Wärmeausdehnungskoeffizient ähnlich dem von Silizium (Si)
  • Geringere Dielektrizitätskonstante und höhere elektrische Isolierung
  • Stärkere mechanische Festigkeit bis zu 600 MPa
  • Hervorragende Korrosionsbeständigkeit

Siliziumnitrid-Substrate (Si3N4)

  • Die Biegefestigkeit ist etwa doppelt so hoch wie die von Aluminiumnitrid (AlN) und Aluminiumoxid
  • Dreimal höhere Wärmeleitfähigkeit als Aluminiumoxid- und ZTA-Substrate
  • Hohe dielektrische Durchbruchspannung, hoher Oberflächenwiderstand, hoher Durchgangswiderstand, hervorragende Isolationseigenschaften
  • Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) ähnlich wie bei Silizium

Berryllium-Oxid-Substrate (BeO)

  • Berylliumoxid-Substrat ist das ideale Material für viele Hochleistungs-Halbleiterteile für Anwendungen wie Funkgeräte
  • Berylliumoxid-Keramik kann elektronische Geräte elektrisch isolieren und gleichzeitig beträchtliche Wärmemengen von ihnen an einen Kühlkörper ableiten
  • Bei einigen Leistungshalbleitern wurde Berylliumoxid-Keramik zwischen dem Siliziumchip und dem Metallsockel des Gehäuses verwendet, um einen geringeren Wärmewiderstand als bei einer ähnlichen Konstruktion aus Aluminiumoxid zu erreichen.
  • Berylliumoxidkeramik wird auch als Strukturkeramik für Hochleistungs-Mikrowellengeräte, Vakuumröhren, Magnetrons und Gaslaser verwendet.